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電力DC200W系制御基板実装

電力DC200W系制御基板実装

 

実装基板サイズ:170㎜×145㎜

構  造:2L

材質・板厚:FR-4 t=1.6㎜

実装形態:2S+2D 両面実装

実装上の特徴:MOS型FET実装基板

 

 

 

 

 

詳細

MOS型電力FETでブリッジを構成し、出力150W(MAX200W)挿入リード型でヒートシンクを実装します。FETはルネサスエレクトロニクス製RJK1529DPKを実装します。デバイス定格はVdss150V-ID70Aを4個搭載したブリッジ回路で出力段を組み込みました。出力段はPWM制御ですが最大出力時でも発熱は小さくヒートシンクも40×150mm程度で充分です。制御はUPD78F0034を利用しています。

 

 

 

ポイント

最大200W出力の電力制御ながら、パワーFETと出力インダクタを除き、全部品SMDを実装しています。従って、ヒートシンクを含めて170×145mmサイズに納めています。部品のSMD化は生産コストばかりか小型化にも大いに貢献します。すべて、PWB実装Oneサービスの標準在庫部品です。

 

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