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FET電力ドライブ基板実装

FET電力ドライブ基板実装

 

実装基板サイズ:235㎜×164㎜

構  造:2L

材質・板厚:FR-4 t=1.6㎜

実装形態:1S+D

実装上の特徴:4面付け

 

 

 

 

 

 

詳細

NJM2747は、SSOP14パッケージにフルスイング出力を持つOP-AMP4素子封入したモジュールICです。さらに、IRFW540Aはフェアチャイルド社が誇る超低オン抵抗を持つパワーMOS-FETです。

最大ドレインーソース間電圧は100V、最大ドレイン電流28Aの定格を持ち、その低オン抵抗の計算値では、28Aの電流を流した場合でも、32Wの電力損失しか発生しません。もし10A以下の電流なら電力損失は4W程度と、基板上での放熱を工夫すれば放熱器不要で運用出来るかもしれません。

 

 

ポイント

IRFW540AはSMDとしては比較的大型の実装部品になります。このことは熱容量(比熱)の大きさを示し、一般の小型部品との間に起きる温度上昇曲線のアンバランスが起こす半田不良の原因に繋がる恐れがあります。

温度上昇曲線は、SMTの領域では温度プロファイルという表現で、半田付け条件を評価します。熱電対を測定部分に取り付け、時間の変化と共に上昇する曲線を観察記録します。この結果は、熱電対センサの定点を代表値として評価するため、明らかな個別部品の差分は観察できません。

 

PWB実装Oneではこれらの問題を常に解決させます。

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