REPORT

現場レポート

製作実績をはじめ、現場の
取り組みや日々の活動をご紹介

ペルチェ制御基板

ペルチェ制御基板

 

実装基板サイズ:260㎜×230㎜

構  造:2L

材質・板厚:FR-4 t=1.6㎜

実装形態:1S+D

実装上の特徴:電力型スイッチデバイスSOP8パッケージ実装

 

 

 

 

 

 

詳細

ペルチェ素子制御回路基板のブリッジ用MOS型FETは、ルネサス社のSMDタイプ電力素子RJK0349DSPを実装しました。本デバイスはSOP8ピンパッケージに収めたN-CH型MOSFETです。VDS30V、IDS20Aの電力をスイッチする性能を持ち、さらにはRDSon=3.8mΩと超低オン抵抗が小さいので小型パッケージ化に成功しました。

 

本装置のアプリケーションでは、DC12V-10A程度の負荷を自在に制御します。

ヒートシンクなし、余裕でいけます。

ポイント

ヒートシンクを無くした構造で小型モジュール化に成功しました。

超低オン抵抗スイッチング素子のおかげです。

EV化や自然エネルギー分野あるいは関連の2次電池分野など、今後益々拡大する電力制御分野で活躍の場が飛躍的拡大をみせます。

今後も市場需要の拡大に呼応して、すぐれた電力素子が開発されることでしょう。

同じカテゴリの現場レポート

お問い合わせはこちら