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ペルチェ素子制御基板実装

ペルチェ素子制御基板実装

 

実装基板サイズ:260㎜×230㎜ 集合サイズ

構  造:2L

材質・板厚:FR-4 t=1.6㎜

実装形態:1S+D

実装上の特徴:多面付けによる生産性改善実装基板

 

 

 

 

 

 

詳細

ターゲット素子の温度制御を市販の温調器との協調で実現します。

ペルチエ素子の制御は比較的大電力を投入するので、出力の終段にはパワー素子を要します。本制御ではN-CHのC-MOS型FETを用いました。正逆切り替えに必要なブリッジ構造を構成して冷却加熱を自動的に切り替え、各々のフェーズで温調を実現します。

ポイント

3×3の9面付けV-CUT基板実装を構成し、生産性を最大限に改善したため、基板サイズが大型化しました。そのため、実装中からリフロー加熱中に発生する重力と熱の相互作用により、集合基板全体に反りが発生します。

一般に自動実装機では、実装加圧対面(下方裏側)より支柱を当て、垂れ下がるのを防止するなどの対策を加えます。また、実装前ベア基板の段階で、加熱炉内の加温雰囲気中で反りを起こす逆方向の力を加え予め補正するなど、いくつかの方法を試します。

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