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ペルチェ素子制御回路基板のブリッジ用MOS型FETは、ルネサス社のSMDタイプ電力素子RJK0349DSPを実装しました。本デバイスはSOP8ピンパッケージに収めたN-CH型MOSFETです。VDS30V、IDS20Aの電力をスイッチする性能を持ち、さらにはRDSon＝3.8mΩと超低オン抵抗が小さいので小型パッケージ化に成功しました。

本装置のアプリケーションでは、DC12V-10A程度の負荷を自在に制御します。

ヒートシンクなし、余裕でいけます。